场效应管的测试方法

而作为产品生产过程中测试主要分为两个过程：芯片封装前测试和芯片封装后测试。这两个测试过程更费时，测试成本也大。而对于芯片封装后测试的产品电参数测试，对保障产品的功能，质量具有重要作用。以下是一些常用的场效应管测量方法：

一文了解场效应三极管型号规则及参数含义

场效应三极管管现行有两种命名方法。第一种命名方法，型号的第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

场效应管工作原理及特点和作用

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管​。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

电阻器尺寸和封装标准

表面贴装电阻器的形状和尺寸已标准化，大多数制造商都使用 JEDEC 标准。贴片电阻的尺寸由数字代码表示，例如0603。该代码包含封装的长度和宽度。因此，英制代码 0603 表示长度为 0.060"，宽度为 0.030"。

GaN开启了“无限复制”时代！

外延技术，即在半导体制造中将半导体材料生长成对齐良好的薄膜，对于半导体制造至关重要。使用外延技术进行的GaN远程同质外延在GaN芯片上形成了二维材料。可以在芯片上生长出与芯片质量相同的GaN半导体，并容易地移除，从而实现使用单个GaN芯片连续生产GaN半导体。